TOPCon设备行业报告：PECVD成为主流工艺（31页）

行业报告下载 2023年03月05日 07:46 管理员

高效率之外，TOPCon 电池相比于 PERC 电池，具有双面率高、衰减低、温度系数低、弱光效应好等优势。根据晶科能源产品手册，P 型电池双面率仅 70%，而 N 型电池双面率能达到 85%。N 型高双面率能带来发电增益约 2.03%；N 型组件功率质保可达 30 年，首年衰减小于 1%，保证 30 年后输出功率不低于原始输出功率的 87.40%。而 P 型电池 30 年输出功率不低于原始输出功率的 84.8%，两者差距 2.6pct；电池发电量受温度系数影响，温度系数越高，发电量越低。根据实验数据，相同环境下，N 型电池的温度更低，意味着光的转换效率更高、发电量损失更低。N 型电池弱光效应更好，因为 N 型电池，更高的内阻，更长的少子寿命，天然具有更优的弱光响应，即相比于 PERC 电池，N 型电池在弱光环境下即可开始实现光电转换，早晚发电市场延长 1 小时左右。从产能投资角度看，因结构相似，TOPCon 电池工艺路线与 PERC 电池有很高的兼容性，大部分工序相同、产线可实现升级转换。主要区别集中在：PN 结处的磷扩散改为硼扩散、 SiO2薄膜及多晶硅薄膜的制备。

从工艺路线看，PERC SE 电池工艺步骤共 9 步，TOPCon 电池工艺步骤共 11 步，新增的步骤集中在 SiO2薄膜及多晶硅薄膜的制备。从投资额角度看，根据 CPIA 21 年数据，PERC 电池单 GW 投资额为 1.94 亿元，TOPCon 电池单 GW 投资额为 2.2 亿元。TOPCon 电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩，再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备，之后再正面 Al2O3膜层制备、正反面 SiNx 膜制备，最后金属化。与 PERC 时代时工艺路线之争相似，TOPCon 工艺路线同样存在诸多争议与分歧。整体看， TOPCon 工艺的核心争议在掺杂多晶硅层的制备方法上，分为 LPCVD/PECVD/PVD 路线。隧穿层 SiO2膜的制备方法可以是 LPCVD、PECVD、ALD 等方式；多晶硅层制备，从工序角度可分为原位掺杂、非原位掺杂。原位掺杂，即在同一工步完成多晶硅层沉积、多晶硅层磷掺杂；非原位掺杂，即在多晶硅层沉积后，通过扩散炉或者离子注入的方法进行磷掺杂。从制备方法上，多晶硅层制备可分为，LPCVD/PECVD/PVD/APCVD 等。

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