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2026-08-03 19 汽车行业报告
800V高压快充新技术报告：国产高压快充车（23页）
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2023年09月07日 06:35
管理员
SiC基MOSFET相比Si基IGBT具备更高耐压等级和开关损耗，以Si-IGBT为例，450V下其耐压为650V，若汽车电气架构升级 至800 V，对应功率半导体耐压等级需达1200 V。 SiC基MOSFET不仅在耐压和损耗水平上都能满足800V电压平台的需求，还具备进一步拓展至1200V电压平台的潜力。电驱动系统采用800V高压平台,显著提升了中高速区域的综合输出性能,并能够满足用户对于超级快速充电的需求,但也大 幅提高了产品材料成本,预期800V电驱动系统将首先搭载中高端车型｡
越来越多的品牌都在规划800V高压平台电驱动产品,近2年陆续量产,国家也在着手布局超级充电桩,最高输出电压可达 1500V｡伴随着未来高压充电基础设施的完善,整车端将不再需要配置升压充电器，高压部件实际增速快于800V增速｡ 800V高压平台技术架构日渐成熟,近2年电动汽车有关电压等级､传导充电装置等相关技术标准亟待同步升级｡
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