化学机械抛光CMP行业报告（15页）

行业报告下载 2026年04月13日 08:02 管理员

化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization，以下简称“CMP”）是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，应用于硅片制造、晶圆制造与先进封装。由于晶圆表面堆叠的不同薄膜硬度不同，不同区域需要以不同的速率进行研磨；通过化学和机械的综合作用，CMP 能最大程度缩小较硬和较软材料去除速率的差异，真正做到“全局”平坦化。根据瑞利判据公式，光刻机要增加分辨率，需要缩短曝光波长、增加投影光刻物镜的数值孔径，但这也会导致焦深的下降，因此晶圆表面的起伏需要落在焦深范围内，对 CMP 提出较高要求。 CMP 过程中，抛光头对下方的工件施加一定压力，并相对抛光垫进行运动，抛光液在工件和抛光垫之间注入，不断与工件表面发生化学反应，并通过磨料的机械作用以及抛光液的化学作用，实现表面材料的去除。CMP 抛光液和抛光垫是整个抛光过程中的两大重要材料，两者会存在协同。对于较为成熟的制程，两者独立性相对高一些。

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