III-V族化合物半导体行业报告：研究框架（77页）

行业报告下载 2022年11月07日 13:56 管理员

III-V族半导体材料：III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为：砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。磷化铟衬底：Indium Phosphide，磷和铟的化合物，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，被广泛应用于光通信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光器、光探测器等领域。砷化镓衬底：Gallium Arsenide，砷和镓的化合物。。砷化镓的禁带宽度大于硅，可以耐受更高电压；砷化镓的电子迁移率更是硅的6-7倍，因此高频性能十分优异。故在制作射频微波器件方面得到重要应用。VGF法是目前制备化合物半导体的主流且最为高效的方法之一。合成衬底质量好，且满足主流应用尺寸：2-6英寸需求。2020 年磷化铟衬底市场呈现出多寡头垄断，主要集中在 Sumnitomo、北京美通及日本JX公司，其他公司市场占比只有 9%。根据USGS数据，2020-2021年中国全年铟产量分别为540 吨和530 吨，占全球总产量的56.3%和57.6%。从原材料供应端为中国磷化铟市场的扩张提供保障。受益于下游市场需求的增加，磷化铟衬底材料市场规模将持续扩大。

根据 Yole 预测，2026 年全球磷化铟衬底（折合二英寸）预计销量为128.19 万片，2019-2026年复合增长率为 14.40%；2026年全球磷化铟衬底市场规模为2.02亿美元，2019-2026年复合增长率为 12.42%。作为高速和远程光收发器不可或缺的基石，InP激光二极管是电信和数据通信公司光子应用的最佳选择。应用下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件，对应下游终端领域包括5G通信、数据中心、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等领域。2019 年我国已经建成超过 13 万个 5G 基站，未来三年迎来建站高峰。根据工信部数据，截至 2019 年 6 月国内 4G基站 445 万个；综合 5G 频谱及相应覆盖增强方案，中信证券测算未来十年国内 5G 宏基站约 4G的 1-1.2 倍，合计约 500-600 万。预测InP光模块市场到2026年将有两倍提升。在市场需求的带动及中国政府新基建等政策的影响下，全球光模块市场将保持快速增长态势。根据Yole统计显示，到2026年全球光模块器件磷化铟衬底（折合两英寸）预计销量将超过100万片，2019年- 2026年复合增长率达13.94%，2026年全球光模块器件磷化铟衬底预计市场规模将达到1.57亿美元，2019-2026 年复合增长率达13.94%。

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