CMP抛光材料行业报告（24页）

行业报告下载 2023年07月27日 08:44 管理员

CMP 是半导体芯片制造工艺提升过程中不可或缺的环节。自 1965 年由 Walsh 等人提出 CMP 抛光应用概念以来，CMP 工艺技术发展和半导体芯片制程发展高度相关。从 0.35 μm~0.25μm的半导体制程技术节点开始，CMP技术是唯一可实现全局平坦化的关键技术，奠定了 CMP 工艺技术发展的基础；而到了 0.18～0.13μm 技术节点阶段，随着半导体芯片制程工艺快速提升，CMP 的作用和其不可替代性更加凸显。现阶段，CMP 技术已成为半导体芯片制造工艺中不可或缺的核心技术环节。芯片制程的创新提高是 CMP 创新发展的重要驱动力。随着芯片制程减小趋势的加快，芯片的内部结构也越来越复杂，对晶圆的表面平坦度要求也越来越高，为保证每个制造步骤达到对应的平坦程度，则必须增加 CMP 的抛光次数和抛光液种类，提升 CMP 的工艺技术创新水平，以达到晶圆表面的纳米级平坦化要求，工艺技术难度大幅度提升，这就反向促进了 CMP 行业的工艺技术的繁荣发展。CMP 抛光液决定晶圆抛光质量和抛光效率，晶圆厂和 CMP 抛光液供应商相互促进。

在半导体芯片制造抛光过程中，晶圆厂会根据每一步晶圆芯片平坦度的加工要求，选择符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指标要求的 CMP 抛光液，使抛光工艺中的化学反应作用和机械反应作用相互促进，来提高抛光效率和产品良率。为达到上述目的，CMP 抛光液供需双方，需相互紧密配合，投入大量研发成本不断试错，去调试符合晶圆厂物理化学性能及抛光性能要求的抛光液，直到生产出符合晶圆表面质量要求、并达到较高产品良率的抛光液产品。CMP 抛光垫是实现平坦化抛光的核心要件之一。在晶圆进行化学机械抛光过程中，CMP 抛光垫的作用主要有：存储 CMP 抛光液及输送 CMP 抛光液至抛光区域，使抛光持续均匀的进行，之后去除所需的机械负荷，并将抛光过程中产生的副产品（氧化产物、抛光碎屑等）带出抛光区域，形成一定厚度的CMP 抛光液层，为抛光过程中化学反应和机械去除提供场所。CMP 抛光垫通过影响抛光液的流动和分布，决定抛光效率和表面平坦性，对实现晶圆平坦化至关重要。

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