先进封装行业报告（40页）

行业报告下载 2024年03月04日 07:19 管理员

先进封装为后摩尔时代延续芯片性能提升的重要手段之一。摩尔定律指集成电路上容纳的晶体管数目约每 18 个月便会增加一倍，但随着晶体管特征尺寸缩小到 10nm 以下，量子隧穿效应导致漏电愈发严重，基于摩尔定律的芯片研发和制造成本也会呈几何倍数增加，摩尔定律延续遇到瓶颈。业界提出深度摩尔（More Moore）、超越摩尔（More than Moore）与新器件（Beyond CMOS），其中超越摩尔指不单通过进一步缩小晶体管尺寸来达到摩尔定律，而是通过电路设计优化或先进封装工艺实现。先进封装与传统封装以是否焊线来区分，发展方向分为小型化与高集成化。（1）小型化：3D 封装突破传统的平面封装的概念，通过单个封装体内多次堆叠，实现了存储容量的倍增，进而提高芯片面积与封装面积的比值。（2）高集成化：系统级封装 SiP 能将数字和非数字功能、硅和非硅材料、CMOS 和非 CMOS 电路以及光电、 MEMS、生物芯片等器件集成在一个封装内，在不单纯依赖半导体工艺缩小的情况下，提高集成度，以实现终端电子产品的轻薄短小、低功耗等功能，同时降低厂商成本。

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