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2026-08-02 27 电子行业报告
大模型催生对高性能存储的需求, HBM 有望随着智算中心建设而受 益。2021 年 SK Hynix 开发出全球首款 HBM3 产品,并于 2022 年量 产。HBM3 是第四代 HBM 技术,由多个垂直连接的 DRAM 芯片组合 而成,作为高价值产品其主要是提高数据处理速度。HBM3 能够每秒 处理 819GB 的数据,与上一代 HBM2E 相比,速度提高了约 78%。SK Hynix 已为英伟达供应 HBM3,搭配英伟达的 H100 计算卡;并已开发 出 HBM3E,预计将应用于 GH200 计算卡。我们认为,HBM3 将搭载 于高性能数据中心,有望适用于提高人工智能生成相关的机器学习, 故其应用标志着高性能存储在数据中心的应用迎来新时代。 HBM3 和 HBM3E 或将成为主流,预计 2024 年市场规模将达 25 亿美 元。TrendForce 表示,从高阶 GPU 搭载的 HBM 来看,英伟达高阶 GPU H100、A100 主要采用 HBM2e、HBM3。随着英伟达的 A100/H100、 AMD 的 MI200/MI300、谷歌自研的 TPU 等需求逐步提升,预估 2023 年 HBM 需求量将同比增长 58%,2024 年有望再增长约 30%。根据 Mordor Intelligence 预测,预计 2024 年高带宽内存市场规模为 25.2 亿 美元,到 2029 年将达到 79.5 亿美元,2024-2029 年年复合增长率为 25.86%。我们认为,随着需求不断扩张,原厂产能持续释放,HBM 产 业有望持续受益。 HBM 或存在二元催化,一是高端芯片国产替代大趋势,二是算力芯 片需求上涨。我们认为美光事件或利好存储芯片国产化,国内存储厂 商将同时受益于供应链国产份额的提升及存储芯片行业的景气周期复 苏。各地相继出台支持算力发展相关政策,带动硬件建设需求。中长 期来看,我们认为存在三因素共振:存储周期回暖、国产推进顺利以 及消费领域新增量。HBM 与 SiP 系统级封装技术关联密切,受益于国 内封装厂在先进封装领域的技术沉淀,国产 HBM 有望迎来快速放量。

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