HBM行业报告：美方管制倒逼制造环节自主可控（14页）

行业报告下载 2025年01月03日 07:12 管理员

从不同技术代来看，HBM3正逐步成为主流需求。Trendforce的数据显示，就不同技术代的需求比重来看，2022年主流需求为 HBM2，2023年来看，主流需求逐步转向HBM3（占比约39%），预计2024年HBM3会成为主流需求，占比将达到60%。 SK 海力士和三星几乎瓜分HBM市场，各大厂均不断提升TSV产能。从营收市占率来看，三星和SK 海力士入局较早，几乎平分市场，镁光入局较晚因此市占率极低。就产能而言，Trendforce数据显示，2024年各家积极推近HBM产能建设，预计三星年底产能为13万片/月，SK 海力士产能约12万片/月，镁光产能约2.5万片/月，2025年，HBM产能扩张仍在继续，三家HBM TSV 合计产能有望达到36.5万片/月，新增产能9万片/月。技术端，海外DRAM技术节点较为先进，国内厂商正在追赶。海外最早量产的HBM2e由1y和1z制程的DRAM芯片堆叠而来，制程在18nm及以下，国内来看，由于受到美方设备进口的限制，国产DRAM芯片扩产的技术节点被限制在18nm以上，对应1y制程。根据TechInsights，长鑫正在进行DDR5的下一代技术研发。产能端，国内DRAM产能规模较小，生产HBM还需要扩充更多的DRAM制造产能。过去两年，传统存储周期承压的背景下，海外大厂把部分传统DRAM产能转为TSV以应对下游的HBM需求，TSV在DRAM总产能中的占比越来越高，TrendForce数据显示，2024 年三大国际原厂的TSV产能合计约26.5万片/月，占其三者DRAM总产能（147.5万片/月）的18%，预计2026年该值将上升至23%。国内来看，Digitims预计2024年底长鑫的产能达到20万片/月，美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前最先进的 HBM3E 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5 的三倍（良率为主要原因），综合比较国内的DRAM产能和HBM的良率情况，我们认为未来国内还需要扩充更多的前道DRAM制造产能才能满足HBM的扩产计划。

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