半导体行业分析报告：混合键合设备（43页）

行业报告下载 2026年03月09日 06:27 管理员

1975s-1995s：Wire Bond时期。引线键合技术，通过金属引线实现芯片与基板的电气连接，成本低廉且工艺成熟，但受限于引线长度和布局方式，信号传输路径较长，难以满足高性能计算芯片的需求。 1995s-2012s：Flip Chip时期。倒装芯片技术，通过在整个芯片正面布置锡球/铜柱凸块，连接密度提升的同时还缩短了信号传输路径，被广泛应用于CPU、GPU和高速DRAM芯片的封装，当凸点间距缩小到40μm以下时，传统回流焊工艺会出现翘曲和精度问题。 2012s-2015s：TCB Bonding时期。热压键合技术，通过加热（通常300–400°C）并施加机械压力，促使金属扩散和塑性变形，形成冶金键合。 2015s-2018s：HD Fan Out时期。扇出封装技术，基于重组技术，芯片被切割完毕后，将芯片重新嵌埋到重组载板，封装测试后将重组载板切割为单颗芯片，芯片外的区域为Fan-Out区域。 2018s-2025s：Hybrid Bonding时期。2D 晶体管缩小的时代日渐放缓，混合键合带来3D新时代。其主要用于实现不同芯片之间的高密度、高性能互联。技术关键特征是通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球（bump）互连，从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装，达到三维集成的目的。

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