存储测试机专题报告：AI算力催生HBM带动测试机新需求（50页）

行业报告下载 2026年07月14日 11:01 管理员

自2024年底以来，在AI大模型训练与推理算力需求爆发、全球数据中心服务器大规模扩容的强劲拉动下，存储芯片供需格局持续趋紧，DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道。其中，DRAM涨幅尤为显著， DDR4（8Gb 2666Mbps）现货平均价由2024年底的约8.1美元飙升至2026年6月底约140美元，涨幅超过17倍； DDR5（16Gb）自2025年11月产生现货报价以来，价格由20美元快速上涨至2026年6月底的117.5美元，涨幅约 4.9倍，新一代高速内存正加速渗透AI服务器市场，成为算力扩容的核心瓶颈。NAND Flash同样呈现强势反弹， 64Gb MLC现货价由2024年底的约4.3美元回升至2026年6月的约28.2美元，涨幅约6.5倍；32Gb MLC同期由约 2.3美元上涨至14美元，涨幅约6.2倍。整体来看，随着AI算力基础设施建设方兴未艾，服务器对高带宽、大容量存储的依赖度显著提升，存储芯片作为算力核心组件，涨价逻辑有望延续。

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