铌酸锂晶体行业研究报告：薄膜铌酸锂调制器、高速率光模块（26页）

行业报告下载 2023年12月12日 15:42 管理员

AI 对算力需求是加速光模块向 800G 以上迭代的主要推动力。光通信是算力网络的重要基础和坚实底座， 800G 光模块具有高速传输、高密度、低功耗和高可靠性的特点，可广泛适用于 IDC 数据中心、光通信骨干网等应用场景。因此 AIGC 的高速发展将加速光模块向 800G 及以上产品迭代。根据 Light counting 预测， 800G 光模块有望从 2025 年底开始主导市场。按照销售额口径统计，800G 光模块的占比有望从 2022 年的 7%上升至 2025 年的 50%，达到 16 亿美元。调制器为光模块核心部件之一，铌酸锂材料也是调制器的重要组成部分。调制器是光模块的重要组成部分之一，其主要功能是将电信号转化为可传输的光信号。根据头豹研究院 2022 年 6 月报告，在中端光模块中，光器件成本占比约 73%；根据光库科技 2020 年 8 月公告，预计 2023 年薄膜铌酸锂调制器成本构成中，直接材料费比例达到 59%，因而铌酸锂材料在调制器中也是重要组成部分之一。薄膜铌酸锂调制器适配于高速率光模块，头部企业均有布局。常见的电光调制器按材料划分主要可以分为硅基调制器、磷化铟调制器和铌酸锂调制器。薄膜铌酸锂调制器具有尺寸小、带宽大的优点，适配于 800G 等高速率光模块场景。基于硅基的调制器速率约为 60-90Gbaud，磷化铟（InP）调制器可达到 130Gbaud，薄膜铌酸锂调制器已有产品速率可达到 260 Gbaud。因而随着后续 800G、1.6T 甚至更高速率光模块的推进，光/电单信道 200 Gbit/s 技术将会实现普及，铌酸锂技术路线未来可期。国内头部企业新易盛、联特科技等均有铌酸锂产品或产业布局，华为及其旗下哈勃投资已参股铌酸锂晶体及薄膜铌酸锂企业。大尺寸铌酸锂晶体制备工艺难度较大，长晶的热场设计或是核心环节之一。由于下游器件向小型化、批量化、低成本方向发展，因而也要求铌酸锂晶体材料向大尺寸方向发展，对于大尺寸(6-10 英寸)铌酸锂单晶生长来说，存在生长界面温场调控困难、继承性缺陷多、晶体热应力大等问题，极易导致晶体开裂，因而单晶生长过程中的热场设计或为最重要的环节之一。国内已有诸如天通凯巨（天通股份子公司）、南智芯材、德清华莹（央企中电科技控股、华为参股）等企业布局大尺寸产品。

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