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2026-09-08 27 电子行业报告
玻璃基板专题报告：材料变革与封装工艺升级共振，产业化临界点将近（52页）
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2026年09月13日 08:06
管理员
CoWoS-S中介层第一步：在硅片上制备贯穿的TSV硅通孔。以深硅刻蚀（DRIE）或激光加工上下贯穿的微孔 （DRIE可做更细节距），孔壁沉积SiO₂作绝缘层、再以电镀铜填充形成导电通路，最后经CMP平坦化。TSV构 建中介层上下表面乃至HBM各层间的垂直互连通道，是2.5D高密度集成的基础。 TSV制备是一套约12步的晶圆级精细流程。硅刻蚀→TSV铜填充→TSV铜CMP→后端金属化→正面凸点形成→ 晶圆回流焊→临时载片键合→背面钝化及TSV铜曝光→钝化CMP→背面凸点形成→晶圆载片脱粘及贴承载膜→ 堆叠芯片经二次成型完成封装组装，整体属前道晶圆工艺、集成度高。
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